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三星宣布首款20nm级32Gb NAND闪存芯片

  烈火网(LieHuo.Net)4月19日消息 据报道,三星今天宣布他们已经研发出业界首个用于SD存储卡的20nm级工艺32Gb NAND闪存芯片。三星称,和30nm级MLC NAND闪存芯片相比,新研发出的20nm级32Gb闪存芯片产能上可提升50%,基于该芯片的SD卡写入速度提高30%至10MB/s,读取速度 20MB/s。与此同时,新工艺芯片在采用尖端处理工艺、设计和控制器技术后,耐用性上与30nm级相当。

  2009年3月,三星率先生产30nm级32Gb NAND闪存芯片。目前,他们也已经开始出货基于20nm级32Gb NAND闪存芯片的SD存储卡样品,新卡的容量在4GB-64GB,预计今年晚些时候实现量产。

  三星表示,新20nm级32Gb NAND闪存芯片日后还将用于高性能存储卡、智能手机和高端IT应用。  

三星宣布首款20nm级32Gb NAND闪存芯片  

三星宣布首款20nm级32Gb NAND闪存芯片

  编译/驱动之家

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